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Original title:
Kopplung von Feldeffekttransistoren mit rekombinanten Ionenkanälen
Translated title:
Interfacing field-effect transistors to recombinant ion channels
Author:
Straub, Bernhard
Year:
2001
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
Fakultät für Physik
Advisor:
Fromherz, Peter (Prof. Dr.)
Referee:
Fromherz, Peter (Prof. Dr.); Sackmann, Erich (Prof. Dr.)
Format:
Text
Language:
de
Subject group:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik
Controlled terms:
Feldeffekttransistor; Adhäsion; Biomembran; Kaliumkanal; Elektrischer Kontakt
TUM classification:
PHY 823d; ELT 321d
Abstract:
Ionenkanäle und Feldeffekttransistoren sind die zwei fundamentalen Bauelemente der Signalverarbeitung von Hirn und Computer. Die Kopplung dieser Bauelemente wird durch Expression geklonter K+-Kanäle in Zellen, die auf einem Siliziumchip mit planaren Feldeffekttransistoren kultiviert werden, verwirklicht: der lokale K+-Strom, der durch die Ionenkanäle im Adhäsionsbereich zwischen Zelle und Transistor fließt, moduliert den Source-Drain Strom des Feldeffekttransistors. Durch diese Kopplung können d...     »
Translated abstract:
Ion channels and field-effect transistors are the two basic devices of signal processing in brain and computer. The electrical interface between these fundamental devices can be realized by the expression of cloned potassium channels in cells, which are cultured on a silicon chip with integrated field-effect transistors: the ion current through the ion channels in the adhesion region between cell and surface of the chip modulates the source-drain current of the transistor. A comparison with patc...     »
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=602901
Date of submission:
16.01.2001
Oral examination:
18.01.2001
File size:
14597348 bytes
Pages:
147
Urn (citeable URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss2001011813342
Last change:
25.07.2007
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