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Originaltitel:
Kopplung von Feldeffekttransistoren mit rekombinanten Ionenkanälen
Übersetzter Titel:
Interfacing field-effect transistors to recombinant ion channels
Autor:
Straub, Bernhard
Jahr:
2001
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
Fakultät für Physik
Betreuer:
Fromherz, Peter (Prof. Dr.)
Gutachter:
Fromherz, Peter (Prof. Dr.); Sackmann, Erich (Prof. Dr.)
Format:
Text
Sprache:
de
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik
Schlagworte (SWD):
Feldeffekttransistor; Adhäsion; Biomembran; Kaliumkanal; Elektrischer Kontakt
TU-Systematik:
PHY 823d; ELT 321d
Kurzfassung:
Ionenkanäle und Feldeffekttransistoren sind die zwei fundamentalen Bauelemente der Signalverarbeitung von Hirn und Computer. Die Kopplung dieser Bauelemente wird durch Expression geklonter K+-Kanäle in Zellen, die auf einem Siliziumchip mit planaren Feldeffekttransistoren kultiviert werden, verwirklicht: der lokale K+-Strom, der durch die Ionenkanäle im Adhäsionsbereich zwischen Zelle und Transistor fließt, moduliert den Source-Drain Strom des Feldeffekttransistors. Durch diese Kopplung können d...     »
Übersetzte Kurzfassung:
Ion channels and field-effect transistors are the two basic devices of signal processing in brain and computer. The electrical interface between these fundamental devices can be realized by the expression of cloned potassium channels in cells, which are cultured on a silicon chip with integrated field-effect transistors: the ion current through the ion channels in the adhesion region between cell and surface of the chip modulates the source-drain current of the transistor. A comparison with patc...     »
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der TU München
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=602901
Eingereicht am:
16.01.2001
Mündliche Prüfung:
18.01.2001
Dateigröße:
14597348 bytes
Seiten:
147
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss2001011813342
Letzte Änderung:
25.07.2007
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