Die elektronische Struktur von verschiedenartigen organischen π-Elektronensystemen und deren Wechselwirkung mit gestuften, eindomänigen Si(100), Ge(100) und Ge/Si(100) Halbleiteroberflächen wurde mittels hochaufgelöster Photoelektronenspektroskopie im Energiebereich der Valenz- (ARUPS) und Rumpfelektronen (XPS), sowie thermischer Desorptionsspektroskopie (TDS) untersucht. Als Adsorbate wurden ungesättigte Kohlenwasserstoffe ausgewählt, die eine einfache π-Bindung (Ethylen), eine doppelte π-Bindung (Acetylen), konjugierte π-Bindungen (Butadien), oder ein aromatisches π-Elektronensystem (Benzol) besitzen. Die untersuchten Moleküle können hierbei als Modellsysteme aufgefaßt werden, die Rückschlüsse auf die Reaktion komplexerer organischer π-Systeme mit den (100) Oberflächen des Siliziums und des Germaniums zulassen. Aus den Untersuchungen folgt, daß die Substrat-Adsorbat Bindung in Konkurrenz zu lateralen Adsorbat-Adsorbat oder intramolekularen Wechselwirkungen steht und dadurch die Adsorption, Desorption, evtl. Dissoziation und elektronische Struktur der Adsorbatsysteme beeinflußt wird. Das Verständnis dieser Wechselwirkungen ist wichtig, um organische Schichten kontrolliert maßzuschneidern und erlaubt es in besonderen Fällen (Ethylen) elektronische Eigenschaften einer Adsorbatschicht durch gezielte Modifikation einer Oberfläche einzustellen.
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Die elektronische Struktur von verschiedenartigen organischen π-Elektronensystemen und deren Wechselwirkung mit gestuften, eindomänigen Si(100), Ge(100) und Ge/Si(100) Halbleiteroberflächen wurde mittels hochaufgelöster Photoelektronenspektroskopie im Energiebereich der Valenz- (ARUPS) und Rumpfelektronen (XPS), sowie thermischer Desorptionsspektroskopie (TDS) untersucht. Als Adsorbate wurden ungesättigte Kohlenwasserstoffe ausgewählt, die eine einfache π-Bindung (Ethylen), eine doppelte π-Bindu...
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