The preparation, photodegradation, and modification of silicon nanosheets (SiNS) and the selective functionalization and decomposition of mixed germanium/silicon nanosheets (Ge/SiNS) have been studied. Water-free approaches to SiNS revealed the necessity of water in their preparation. Photooxidation occurs when SiNS are exposed to UV light in oxygen-containing atmospheres, while amorphization occurs under argon. Selective removal of silicon from Ge/SiNS was achieved. Finally, functionalized SiNS with exceptional nonlinear optical properties were prepared.     «

The preparation, photodegradation, and modification of silicon nanosheets (SiNS) and the selective functionalization and decomposition of mixed germanium/silicon nanosheets (Ge/SiNS) have been studied. Water-free approaches to SiNS revealed the necessity of water in their preparation. Photooxidation occurs when SiNS are exposed to UV light in oxygen-containing atmospheres, while amorphization occurs under argon. Selective removal of silicon from Ge/SiNS was achieved. Finally, functionalized SiNS...     »

Die Herstellung, Photozersetzung und Modifizierung von Silicium-Nanoschichten (SiNS) sowie die selektive Funktionalisierung und Zersetzung von gemischten Germanium/Silicium-Nanoschichten (Ge/SiNS) wurden untersucht. Versuche zur wasserfreien Herstellung von SiNS zeigten die Notwendigkeit von Wasser in der Synthese. Unter UV-Licht und in sauerstoffhaltigen Atmosphären findet eine Photooxidation der SiNS statt, während das Material unter Argon amorph wird. Silicium konnte selektiv aus Ge/SiNS entfernt werden. Schließlich wurden funktionalisierte SiNS mit außergewöhnlichen nichtlinearen optischen Eigenschaften hergestellt.     «

Die Herstellung, Photozersetzung und Modifizierung von Silicium-Nanoschichten (SiNS) sowie die selektive Funktionalisierung und Zersetzung von gemischten Germanium/Silicium-Nanoschichten (Ge/SiNS) wurden untersucht. Versuche zur wasserfreien Herstellung von SiNS zeigten die Notwendigkeit von Wasser in der Synthese. Unter UV-Licht und in sauerstoffhaltigen Atmosphären findet eine Photooxidation der SiNS statt, während das Material unter Argon amorph wird. Silicium konnte selektiv aus Ge/SiNS entf...     »