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Originaltitel:
Spin and Optoelectronic Properties of Single Vacancies Embedded in Atomically Thin Semiconductor Devices
Übersetzter Titel:
Spin und Optoelektronische Eigenschaften von Einzelnen Vakanzen Eingebettet in Atomar Dünnen Halbleiterstrukturen
Autor:
Hötger, Alexander
Jahr:
2024
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
TUM School of Natural Sciences
Institution:
Lehrstuhl für Nanotechnologie und -materialien (NIM-Cluster) (Prof. Holleitner)
Betreuer:
Holleitner, Alexander (Prof. Dr.)
Gutachter:
Holleitner, Alexander (Prof. Dr.); Krischer, Katharina (Prof. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
PHY Physik
TU-Systematik:
TEC 030; PHY 685; ELT 300
Kurzfassung:
Two-dimensional materials exhibit outstanding electronic and optical properties that can be tuned by various parameters, such as magnetic and electric fields, impurities, defects, and the dielectric environment. A He-ion beam focused on atomically thin 2D materials creates point-defects that can be utilized in future quantum networks. In this work, we characterize the sulfur vacancy in monolayer MoS2 with the help of magneto- and optoelectronic-spectroscopy methods.
Übersetzte Kurzfassung:
Zweidimensionale Materialien weisen hervorragende elektronische und optische Eigenschaften auf, die durch verschiedene Parameter wie magnetische und elektrische Felder, Verunreinigungen, Defekte und die dielektrische Umgebung beeinflusst werden. Ein He-Ionen Strahl, fokussiert auf atomar dünnen 2D-Materialien, erzeugt Punktdefekte. In dieser Arbeit charakterisieren wir die Schwefelvakanz in einlagigem MoS2 mit Hilfe von magneto- und optoelektronischen Spektroskopiemethoden.
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology
Bandnummer:
Vol. 255
ISBN:
978-3-946379-55-3
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1725146
Eingereicht am:
06.11.2023
Mündliche Prüfung:
09.02.2024
Letzte Änderung:
29.04.2024
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