This work addresses the improvement of the coherence properties of nitrogen-vacancy (NV) centers in diamond. Both materials science and quantum engineering methods are investigated, in particular to extend the transverse relaxation time T2 of very shallowly implanted (~ 10 nm) NV centers.
Übersetzte Kurzfassung:
Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Verbesserung der Kohärenzeigenschaften von Stickstoff-Fehlstellen-Zentren (NV-Zentren) in Diamant. Dabei werden sowohl materialwissenschaftliche als auch quantentechnologische Methoden untersucht, um insbesondere die transversale Relaxationszeit T2 sehr flach implantierter (~ 10 nm) NV-Zentren zu verlängern.