Electronic Doping and Enhancement of n‐Channel Polycrystalline OFET Performance through Gate Oxide Modifications with Aminosilanes

Titel:: Electronic Doping and Enhancement of n‐Channel Polycrystalline OFET Performance through Gate Oxide Modifications with Aminosilanes
Dokumenttyp:: Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):: Shin, Nara; Schellhammer, Karl Sebastian; Lee, Min Ho; Zessin, Jakob; Hambsch, Mike; Salleo, Alberto; Ortmann, Frank; Mannsfeld, Stefan C. B.
Zeitschriftentitel:: Advanced Materials Interfaces
Jahr:: 2021
Band / Volume:: 8
Heft / Issue:: 16
Seitenangaben Beitrag:: 2100320
Volltext / DOI:: doi:10.1002/admi.202100320
Verlag / Institution:: Wiley
E-ISSN:: 2196-73502196-7350
Publikationsdatum:: 26.07.2021
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