Login
- Titel:
具有包括击穿层的电阻开关层的存储单元 Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer
- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- CN 103003971 B
- Erfinder:
- FU CHU-CHEN; KREUPL FRANZ; NIAN YIBO 弗朗茨·克罗伊普尔, 付初辰, 年一波
- Patentanmelder:
- FU CHU-CHEN; KREUPL FRANZ; NIAN YIBO
- Abstract:
- 一种在三维的读写存储器中的存储器件，包括存储单元。每个存储单元包括与导引元件串联的电阻开关存储元件(RSME)。RSME具有电阻开关层、导电中间层、以及在RSME两端的第一电极和第二电极。击穿层串联地电连接在第二电极与中间层之间。该击穿层在导电状态下保持至少约1-10MΩ的电阻。在存储单元的置位或复位操作中，离子电流在电阻开关层中流动，其有助于开关机制。由于导电中间层的散射，对开关机制没有帮助的电子流被减小，以避免损坏导引元件。提供了用于RSME的不同层的具体材料和材料的组合。
- Anmeldeland:
- CN
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 03.06.2015
- Jahr:
- 2015
- Sprache:
- Sonstige
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX