Es werden Spin-Bahn Kopplungseffekte in planaren InP/InGaAs Heterostrukturen experimentell untersucht anhand von Schwebungsmustern in den Quantenoszillationen der Magnetisierung, des chemischen Potentials und des Magnetwiderstandes bei hohen Magnetfeldern und niedrigen Temperaturen. Mittels detaillierter theoretischer Analysen werden die relevanten Rashba- und Dresselhausparameter sowie der anisotrope
g*-Tensor bestimmt. Darüber hinaus zeigen Magnetisierungsmessungen an geätzten Quantenpunkten indirekt eine Abschirmung des lateralen Einschlusspotentials sowie Randverarmungseffekte.
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Es werden Spin-Bahn Kopplungseffekte in planaren InP/InGaAs Heterostrukturen experimentell untersucht anhand von Schwebungsmustern in den Quantenoszillationen der Magnetisierung, des chemischen Potentials und des Magnetwiderstandes bei hohen Magnetfeldern und niedrigen Temperaturen. Mittels detaillierter theoretischer Analysen werden die relevanten Rashba- und Dresselhausparameter sowie der anisotrope
g*-Tensor bestimmt. Darüber hinaus zeigen Magnetisierungsmessungen an geätzten Quantenpunkten i...
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