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Original title:
Group III-Nitride Nanowires for Optoelectronic Control of Nitrogen-Vacancy Centers in Diamond
Translated title:
Gruppe-III-Nitrid Nanodrähte für die optoelektronische Kontrolle von Stickstoff-Fehlstellen-Zentren in Diamant
Author:
Hetzl, Martin
Year:
2018
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
Fakultät für Physik
Advisor:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
Referee:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Finley, Jonathan J. (Prof., Ph.D.)
Language:
en
Subject group:
PHY Physik
Keywords:
nanowires, group III-nitrides, nitrogen-vacancy centers, diamond, heterodiodes
Translated keywords:
Gruppe-III-Nitride, Stickstoff-Fehlstellen-Zentren, Diamant, Heterodioden
TUM classification:
PHY 685d; ELT 300d
Abstract:
Nanowires are used to overcome limitations of epitaxial thin film growth, and to improve the crystal quality of semiconductors. Here, group III-nitride nanowires were employed for two approaches: (i) The development of highly-strained coaxial heterostructures to explore novel optoelectronic and sensing applications; (ii) Exploiting the intrinsic waveguide geometry and electronic properties of gallium nitride nanowires to improve the read-out performance of nitrogen-vacancy centers in diamond.
Translated abstract:
Nanodrähte werden dazu verwendet, um Limitierungen beim epitaktischen Dünnschicht-Wachstum zu überwinden und die Kristallqualität von Halbleitern zu verbessern. In dieser Arbeit wurden Gruppe-III-Nitrid-Nanodrähte für zwei verschiedene Ziele untersucht: (i) Die Entwicklung von hochverspannten koaxialen Heterostrukturen zur Erforschung neuartiger optoelektronischer und sensorischer Anwendungen; (ii) Die Benutzung der natürlichen Wellenleitergeometrie und elektronischen Eigenschaften von Galliumn...     »
Series:
Selected topics of semiconductor physics and technology
Series volume:
213
ISBN:
978-3-946379-13-3
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1436092
Date of submission:
28.03.2018
Oral examination:
23.07.2018
Last change:
20.09.2018
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