2D Elektronsysteme in Aluminium Arsenide (AlAs) wurden im Rahmen dieser Doktorarbeit gewachsen, optimiert und charakterisiert. Hochbewegliche (001)- und (110)- orientierte AlAs Quantum Wells (QWs), bzw. (001)-orientierte AlAs QW Proben in der „Thin cap“ Geometrie, wurden gewachsen. Es wurde experimentell nachgewiesen, dass (001)-orientierte AlAs dicke QWs „double-valley“ und (110)-orientierte AlAs dicke QWs „single-valley“ Besetzung haben. Die beste Proben zeigen eine unerwartete zunehmende Beweglichkeit mit sinkender Temperatur zwischen 4 K und 300 mK. Die Form dieser Temperaturabhängigkeit ist unkonventionell im Vergleich mit GaAs. Beweglichkeitsanisotropie für (110)-orientierte AlAs QWs wurde beobachtet.
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2D Elektronsysteme in Aluminium Arsenide (AlAs) wurden im Rahmen dieser Doktorarbeit gewachsen, optimiert und charakterisiert. Hochbewegliche (001)- und (110)- orientierte AlAs Quantum Wells (QWs), bzw. (001)-orientierte AlAs QW Proben in der „Thin cap“ Geometrie, wurden gewachsen. Es wurde experimentell nachgewiesen, dass (001)-orientierte AlAs dicke QWs „double-valley“ und (110)-orientierte AlAs dicke QWs „single-valley“ Besetzung haben. Die beste Proben zeigen eine unerwartete zunehmende Bewe...
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