This work represents a study of the quaternary semiconductor alloy InGaAsN, which is used in quantum-well lasers. The optical part deals with absorption as well as normal and time-resolved photoluminescence. The results of this part are used for the optimization of InGaAsN growth by molecular beam epitaxy for state-of-the-art 1.3 µm Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSEL). The influence of the thermal annealing on the optical properties of InGaAsN quantum-wells is examined. By means of transmission electron microscopy, the structural properties of the quantum-wells are analysed. These are correlated with the opto-electronic properties of the InGaAsN quantum-wells. Photovoltage measurements are performed in order to measure band offsets in the quantum-wells, and with it the influence of the nitrogen on the conduction and valence bands. Transport properties of the samples are studied by means of photocurrent and cyclotron resonance experiments.     «

This work represents a study of the quaternary semiconductor alloy InGaAsN, which is used in quantum-well lasers. The optical part deals with absorption as well as normal and time-resolved photoluminescence. The results of this part are used for the optimization of InGaAsN growth by molecular beam epitaxy for state-of-the-art 1.3 µm Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSEL). The influence of the thermal annealing on the optical properties of InGaAsN quantum-wells is examined. By means of t...     »

Diese Arbeit stellt eine Studie der quaternären Halbleiterlegierung InGaAsN dar, die im Quantum Well Laser verwendet wird. Der optische Teil befasst sich mit Absorption sowie normaler und zeitaufgelöster Photolumineszenz. Die Ergebnisse dieses Teils werden für die Optimierung des Wachstums von InGaAsN durch Molekularstrahlepitaxie für erstklassige 1,3 µm Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) benutzt. Der Einfluss des thermischen Ausheilens auf die optischen Eigenschaften der InGaAsN Quantum Wells wird untersucht. Mittels Transmissionselektronenmikroskopie werden die strukturellen Eigenschaften der Quantum Wells analysiert. Diese werden mit optoelektronischen Eigenschaften der InGaAsN Quantum Wells korreliert. Photospannungsmessungen werden ausgeführt, um die Bandoffsets in den Quantum Wells und damit den Einfluss des Stickstoffs auf Valenz- und Leitungsbänder auszumessen. Transporteigenschaften der Proben werden mittels Photostrom- und Zyklotronresonanzexperimenten studiert.     «

Diese Arbeit stellt eine Studie der quaternären Halbleiterlegierung InGaAsN dar, die im Quantum Well Laser verwendet wird. Der optische Teil befasst sich mit Absorption sowie normaler und zeitaufgelöster Photolumineszenz. Die Ergebnisse dieses Teils werden für die Optimierung des Wachstums von InGaAsN durch Molekularstrahlepitaxie für erstklassige 1,3 µm Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) benutzt. Der Einfluss des thermischen Ausheilens auf die optischen Eigenschaften der InGaAsN Qua...     »