The SiO2 interlayer dielectric is being replaced by new low k spin-on or vapour-deposited silicate or organic materials. Important synthetic goals are the controlled catalytic hydrosilylation of H8Si8O12, T8H, (HSiMe2O)8Si8O12, Q8M8H with 1,5-hexadiene and hydrolytic condensation of monomers. The result of dielectric measurement showed that the dielectric constant ê of the polymer films was between 2.1 - 2.7, which was low compared to literature data, where values in the range of 3.0-3.7 are typically reported. The composite films with embedding of nanoporous silicalite-1 or SBA-15 showed lower ê values in the range of 2.1 - 1.7 (with silicalite-1) and 2.01-1.62 (with SBA-15) which is much lower than that of the corresponding polymer film (ê = 2.4).     «

The SiO2 interlayer dielectric is being replaced by new low k spin-on or vapour-deposited silicate or organic materials. Important synthetic goals are the controlled catalytic hydrosilylation of H8Si8O12, T8H, (HSiMe2O)8Si8O12, Q8M8H with 1,5-hexadiene and hydrolytic condensation of monomers. The result of dielectric measurement showed that the dielectric constant ê of the polymer films was between 2.1 - 2.7, which was low compared to literature data, where values in the range of 3.0-3.7 are typ...     »

In der Mikroelektronik sind Kombinationen von Kupfer als Material für die elektrischenLeiterbahnen und Isoliermaterialien mit ultra niedriger Dielektrizitätskonstante k derzeit dieeinzige Alternative um das derzeit für Interconnect-Strukturen genutzte Al/SiO2 System zu ersetzen. Als potentielle Kandidaten für die Herstellung neuartiger Isolatormaterialien kommen insbesondere Silsesquioxane in Frage. Methodisch basiert unser Ansatz auf der Verwendung substituierter Silsesquioxane R8Si8O12; die durch katalytische Hydrosilylierung oder Polycondensation dreidimensional vernetzt werden. Polymerfilme zeigen eine deutlich verringertes k (2.1-2.7) im Vergleich zu SiO2 (k = 4.0). Die Dielektrizitätskonstante wurden in Compositfilmen durch Einbetten von mikroporösen Silicalith (k = 2.1-1.7) oder mesoporösen SBA-15 Nanopartikeln (k = 2.01-1.62) weiter verringert.     «

In der Mikroelektronik sind Kombinationen von Kupfer als Material für die elektrischenLeiterbahnen und Isoliermaterialien mit ultra niedriger Dielektrizitätskonstante k derzeit dieeinzige Alternative um das derzeit für Interconnect-Strukturen genutzte Al/SiO2 System zu ersetzen. Als potentielle Kandidaten für die Herstellung neuartiger Isolatormaterialien kommen insbesondere Silsesquioxane in Frage. Methodisch basiert unser Ansatz auf der Verwendung substituierter Silsesquioxane R8Si8O12; die d...     »