Chip-scale integrated light sources have the potential to replace electronic components by photonic devices. In this thesis, we demonstrate GaAs-based semiconductor nanowires (NWs) monolithically grown on silicon ridge waveguides (WG) on a silicon-on-insulator platform and successful coupling of the lasing mode to the proximal WG. In addition, we prove tunability of the lasing mode by epitaxial gain control. For this, the material composition in radial quantum wells is varied and corresponding effects on the lasing performance are studied.      «

Chip-scale integrated light sources have the potential to replace electronic components by photonic devices. In this thesis, we demonstrate GaAs-based semiconductor nanowires (NWs) monolithically grown on silicon ridge waveguides (WG) on a silicon-on-insulator platform and successful coupling of the lasing mode to the proximal WG. In addition, we prove tunability of the lasing mode by epitaxial gain control. For this, the material composition in radial quantum wells is varied and corresponding e...     »

In Mikrochips integrierte Lichtquellen haben das Potential elektronische durch photonische Komponenten zu ersetzen. Diese Arbeit behandelt GaAs-basierte Halbleiternanodrähte, monolithisch integriert auf Siliziumstegwellenleiter auf einer Silizium-auf-einem-Isolator Plattform. Hierbei wird die erfolgreiche Kopplung der Lasingmode in den Wellenleiter gezeigt. Des Weiteren, wird die Durchstimmbarkeit der Lasingwellenlänge durch Variation der Materialzusammensetzung in radialen Quantentöpfen demonstriert und deren Einfluss auf die Lasingeigenschaften studiert.     «

In Mikrochips integrierte Lichtquellen haben das Potential elektronische durch photonische Komponenten zu ersetzen. Diese Arbeit behandelt GaAs-basierte Halbleiternanodrähte, monolithisch integriert auf Siliziumstegwellenleiter auf einer Silizium-auf-einem-Isolator Plattform. Hierbei wird die erfolgreiche Kopplung der Lasingmode in den Wellenleiter gezeigt. Des Weiteren, wird die Durchstimmbarkeit der Lasingwellenlänge durch Variation der Materialzusammensetzung in radialen Quantentöpfen demonst...     »