Der Mikroelektronik Shrinkprozess und wachsende Kanalbandbreiten erschweren den ESD Schutz von Hochfrequenzschaltungen. Mit Hilfe einer praxisnahen Leistungszahl werden im bislang umfangreichsten Vergleich die gebräuchlichsten ESD Konzepte bezüglich Hochfrequenztauglichkeit bewertet. Anschließend werden zwei neue thyristorbasierte Schutzelemente vorgestellt und detailierte Hochfrequenzmodelle dafür entwickelt. Jenseits einer oberen Frequenzgrenze, für welche ein allgemein verwertbares Kriterium hergeleitet wird, sind spezielle CODESIGN Maßnahmen erforderlich. Dazu wird für schmalbandige Anwendungen ein neues wellenleiterbasiertes Konzept vorgestellt. Erstmalig wird Bootstrapping als breitbandige Schutzmethodik im oberen einstelligen GHz Bereich erfolgreich demonstriert.    «

Der Mikroelektronik Shrinkprozess und wachsende Kanalbandbreiten erschweren den ESD Schutz von Hochfrequenzschaltungen. Mit Hilfe einer praxisnahen Leistungszahl werden im bislang umfangreichsten Vergleich die gebräuchlichsten ESD Konzepte bezüglich Hochfrequenztauglichkeit bewertet. Anschließend werden zwei neue thyristorbasierte Schutzelemente vorgestellt und detailierte Hochfrequenzmodelle dafür entwickelt. Jenseits einer oberen Frequenzgrenze, für welche ein allgemein verwertbares Kriterium...    »

Enduring shrink process in microelectronics and growing channel bandwidths complicate ESD protection of radio frequency (RF) circuits. The so far most comprehensive comparison rates common ESD protection concepts with respect to their RF capability. For this a practical figure of merit is used. Afterwards two new protection elements based on silicon controlled rectifiers are presented and detailed RF models are developed. Beyond an upper frequency limit, whose derivation is constituted on a universal base, custom CODESIGN measures must be taken. For narrowband applications a new waveguide based concept is presented. Bootstrapping is extended to serve as broadband protection method and operation in the upper single-digit GHz regime can be demonstrated successfully.    «

Enduring shrink process in microelectronics and growing channel bandwidths complicate ESD protection of radio frequency (RF) circuits. The so far most comprehensive comparison rates common ESD protection concepts with respect to their RF capability. For this a practical figure of merit is used. Afterwards two new protection elements based on silicon controlled rectifiers are presented and detailed RF models are developed. Beyond an upper frequency limit, whose derivation is constituted on a univ...    »