Analysis of read current and write trip voltage variability from a 1 MBit SRAM test structure

Titel:: Analysis of read current and write trip voltage variability from a 1 MBit SRAM test structure
Dokumenttyp:: Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):: Fischer, Thomas; Amirante, Ettore; Huber, Peter; Nirschl, Thomas; Olbrich, Alexander; Ostermayr, Martin; Schmitt-Landsiedel, Doris
Zeitschriftentitel:: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
Jahr:: 2008
Band / Volume:: 21
Heft / Issue:: 4
Sprache:: en
TUM Einrichtung:: Lehrstuhl für Technische Elektronik
Format:: Text
BibTeX

Vorkommen: