The proposed International Linear Collider (ILC) serves as a tool to explore the mysteries of the universe. The key component of the ILC is the vertex detector that should be placed as close as possible to the Interaction Point and has better radiation tolerance against the dominant background. Since all MOS devices are susceptible to ionizing radiation, the main topic is focused on the radiation hardness of detectors, by which a series of physical processes are analyzed: e.g. surface damage due to ionizing radiation as well as damage mechanisms and their associated radiation effects. Hence, the main part of this thesis consists of a large number of irradiation experiments and the corresponding discussions. Finally, radiation hardness of the detectors should be improved through a set of concluded experiences that are based on a series of analysis of the characteristic parameters using different measurement techniques.      «

The proposed International Linear Collider (ILC) serves as a tool to explore the mysteries of the universe. The key component of the ILC is the vertex detector that should be placed as close as possible to the Interaction Point and has better radiation tolerance against the dominant background. Since all MOS devices are susceptible to ionizing radiation, the main topic is focused on the radiation hardness of detectors, by which a series of physical processes are analyzed: e.g. surface damage due...     »

An einem zukünftigen e-e+ Linearbeschleuniger mit Energien von 0,5 bis 1 TeV sollen viele Fragen zum Standardmodel beantwortet werden. Eine wichtige Komponente am ILC ist ein Vertexdetektor, der strahlungsresistent sein muss. MOS Depleted-Field-Effect Transistor Detektoren (MOSDEPFET) stellen einen der besten Kandidaten für einen Vertexdetektor am ILC dar. Wie alle MOS Strukturen leiden DEPFETs unter Oxidschädigung durch ionisierende Strahlung. Um dies genauer zu untersuchen wurden für diese Arbeit spezielle MOS Teststrukturen gefertigt, bestrahlt und vermessen. Die Messdaten wurden mit Literaturdaten verglichen und analysiert, darauf aufbauend konnte ein physikalisches Model zur Berechnung der Strahlenschäden entwickelt werden. Zum Schluss werden Vorschläge zur Verbesserung der Strahlenhärte des DEPFETs gemacht. In dieser Arbeit wird gezeigt, dass DEPFETs nach Technologieverbesserungen auch an Beschleunigern mit weit höherer Strahlenbelastung verwendet werden können.     «

An einem zukünftigen e-e+ Linearbeschleuniger mit Energien von 0,5 bis 1 TeV sollen viele Fragen zum Standardmodel beantwortet werden. Eine wichtige Komponente am ILC ist ein Vertexdetektor, der strahlungsresistent sein muss. MOS Depleted-Field-Effect Transistor Detektoren (MOSDEPFET) stellen einen der besten Kandidaten für einen Vertexdetektor am ILC dar. Wie alle MOS Strukturen leiden DEPFETs unter Oxidschädigung durch ionisierende Strahlung. Um dies genauer zu untersuchen wurden für diese Arb...     »