Diese Dissertation befasst sich mit dem Design, der Modellierung, der Simulation und der Charakterisierung neuartiger lateraler Hochvolt-Superjunction-Bauelemente mit Anwendungen in Smart-Power-ICs. Zum Zweck eines optimalen Designs, insbesondere zur Vermeidung des parasitären Effektes der Substratverarmung, wie er in lateralen Superjunction-Bauelementen auf Basis der Siliziumtechnologie auftritt, werden zwei unterschiedliche Superjunction-Strukturen mit jeweils optimaler Geometrie und optimalem Dotierprofil vorgeschlagen. Mit Hilfe von dreidimensionalen Simulationen auf der Grundlage des Drift-Diffusions-Modells werden Voraussagen über die statischen und dynamischen Eigenschaften beider Bauelementestrukturen getroffen. Darüber hinaus werden die Auswirkungen der geometrischen Abmessungen, der Designmuster sowie der nichtidealen Kompensationsgrade auf das Bauelementeverhaltens untersucht.     «

Diese Dissertation befasst sich mit dem Design, der Modellierung, der Simulation und der Charakterisierung neuartiger lateraler Hochvolt-Superjunction-Bauelemente mit Anwendungen in Smart-Power-ICs. Zum Zweck eines optimalen Designs, insbesondere zur Vermeidung des parasitären Effektes der Substratverarmung, wie er in lateralen Superjunction-Bauelementen auf Basis der Siliziumtechnologie auftritt, werden zwei unterschiedliche Superjunction-Strukturen mit jeweils optimaler Geometrie und optimalem...    »

This dissertation deals with the design, modelling, simulation and characterization of novel high voltage lateral superjunction power MOSFETs intended for applications in smart power integrated circuits. With a view to an optimized design, in particular to avoiding the parasitic effect of “substrate depletion” inherent in the implementation of the lateral superjunction MOSFETs in bulk silicon technology, two different structural designs with optimum device geometry and doping profile are proposed. Three-dimensional simulations based on the drift-diffusion model are carried out to predict the performance of the two device structures under static and dynamic operating conditions. In addition, the influence of geometry, design patterns and non-ideal charge balance conditions on the device behaviour is investigated.    «

This dissertation deals with the design, modelling, simulation and characterization of novel high voltage lateral superjunction power MOSFETs intended for applications in smart power integrated circuits. With a view to an optimized design, in particular to avoiding the parasitic effect of “substrate depletion” inherent in the implementation of the lateral superjunction MOSFETs in bulk silicon technology, two different structural designs with optimum device geometry and doping profile are propose...    »