Die Arbeit zeigt, dass Streulicht-Nahfeldmikroskopie mit Infrarotbeleuchtung (IR s-SNOM) dazu benutzt werden kann,die Kristallinität von polaren Materialien mittels Phonon-Polariton Nahfeld-optischer Wechselwirkung zwischen Sonde und Probenoberfläche auf der Nanometerskala abzubilden. Weiterhin wird gezeigt, dass das IR s-SNOM auf die Stapelfolge von Atomlagen in einem polaren SiC-Kristal (Polytypismus) sensitiv ist. Allerdings benötigen Messungen von so geringen Nahfeldkontrasten wie zwischen SiC-Polytypen spezielle Verfahren für die vollständige Unterdrückung des Hintergrundstreulichtes, um präzise und reproduzierbare Messergebnisse zu erhalten. Dieses Problem wird durch eine neu entwickelte pseudoheterodyne interferometrische Detektionsmethode gelöst. Ausserdem wird ein neues Modell für die Nahfeld-Wechselwirkung zwischen der Sonde und der Probe entwickelt und dessen quantitative Übereinstimmung mit experimentellen Ergebnissen bewiesen.
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Die Arbeit zeigt, dass Streulicht-Nahfeldmikroskopie mit Infrarotbeleuchtung (IR s-SNOM) dazu benutzt werden kann,die Kristallinität von polaren Materialien mittels Phonon-Polariton Nahfeld-optischer Wechselwirkung zwischen Sonde und Probenoberfläche auf der Nanometerskala abzubilden. Weiterhin wird gezeigt, dass das IR s-SNOM auf die Stapelfolge von Atomlagen in einem polaren SiC-Kristal (Polytypismus) sensitiv ist. Allerdings benötigen Messungen von so geringen Nahfeldkontrasten...
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