Computer to plate; Driographie; Polydimethylsiloxane; Modifizierung; Photochemische Reaktion; Laserinduziertes Verfahren
TUM classification:
CHE 634d; CHE 740d; CHE 725d; IND 949d
Abstract:
Ziel dieser Arbeit war die Entwicklung einer Methode zur photochemischen Oberflächenmodifizierung von Poly(dimethylsiloxan) (PDMS) zu SiOx, die anders als die bisher in der Literatur beschriebenen Verfahren (z.B. Pyrolyse, LB-Technik, PLD, Verwendung von Sauerstoffplasma) eine Verwendung in der Computer-to-Plate Driographie ermöglicht. Hierfür wurden drei Strahlungsquellen im UV und VUV-Bereich auf ihren möglichen Einsatz hin untersucht: Nd:YAG-Laser (266 nm), KrF*-Excimer-Laser (248 nm), Xe2*-Excimer-Lampe (172 nm). Die bestrahlten PDMS-Oberflächen wurden mit geeigneten Analysenmethoden untersucht, um Aufschluss über die chemischen und physikalischen Eigenschaften der PDMS-Oberflächen während und nach der Bestrahlung und den Mechanismus der Modifizierung zu gewinnen. Abschließend wurde die Möglichkeit einer Einbindung in den driographischen Druckprozess geprüft. Im Falle der Xe2*-Excimer-Lampe führten die Drucktests zu einem ansprechenden Druckbild.
Translated abstract:
The aim of this theses was the development of a new method for the photochemical surface modification of poly(dimethylsiloxane) (PDMS) to SiOx for its application in the computer-to-plate driography. Most of the methods described in literature (i.e. pyrolysis, LB technique, PLD, oxygen plasma) suffer from specific preparation methods, restrictive atmospheric conditions, high temperatures and/or long reaction times and are not suitable for this purpose. Three different radiation sources in the UV and vacuum UV were applied: Nd:YAG-laser (266 nm), KrF*-excimer-laser (248 nm), Xe2*-excimer-lamp(172 nm). The exposed PDMS surfaces were analysed by several methods to gain knowledge about the chemical and physical properties during and after irradiation and the mechanism of the photochemical modification. In a final step the integration in the driographic printing process was successfully verified in case of the Xe2*-excimer-lamp.