In dieser Arbeit werden Defekte und Unordnung in Nitrid-Halbleitern untersucht. Analysiert werden amorphe und kristalline Strukturen des Ca-Zn-N-Materialsystems, der Einfluss von Sauerstoffverunreinigungen auf die optoelektronischen Eigenschaften von Zn3N2, amorphes GaN als Schutzschicht und die Kationen-Unordnung in ZrTaN3. Die Arbeit hebt wesentliche Aspekte hervor, die in der Materialforschung zu berücksichtigen sind, um die tatsächlichen Prozesse hinter den beobachteten Veränderungen der Eigenschaften von Nitrid-Halbleitern zu verstehen.     «

In dieser Arbeit werden Defekte und Unordnung in Nitrid-Halbleitern untersucht. Analysiert werden amorphe und kristalline Strukturen des Ca-Zn-N-Materialsystems, der Einfluss von Sauerstoffverunreinigungen auf die optoelektronischen Eigenschaften von Zn3N2, amorphes GaN als Schutzschicht und die Kationen-Unordnung in ZrTaN3. Die Arbeit hebt wesentliche Aspekte hervor, die in der Materialforschung zu berücksichtigen sind, um die tatsächlichen Prozesse hinter den beobachteten Veränderungen der Eig...     »