Nanowires are used to overcome limitations of epitaxial thin film growth, and to improve the crystal quality of semiconductors. Here, group III-nitride nanowires were employed for two approaches: (i) The development of highly-strained coaxial heterostructures to explore novel optoelectronic and sensing applications; (ii) Exploiting the intrinsic waveguide geometry and electronic properties of gallium nitride nanowires to improve the read-out performance of nitrogen-vacancy centers in diamond.
Translated abstract:
Nanodrähte werden dazu verwendet, um Limitierungen beim epitaktischen Dünnschicht-Wachstum zu überwinden und die Kristallqualität von Halbleitern zu verbessern. In dieser Arbeit wurden Gruppe-III-Nitrid-Nanodrähte für zwei verschiedene Ziele untersucht: (i) Die Entwicklung von hochverspannten koaxialen Heterostrukturen zur Erforschung neuartiger optoelektronischer und sensorischer Anwendungen; (ii) Die Benutzung der natürlichen Wellenleitergeometrie und elektronischen Eigenschaften von Galliumnitrid-Nanodrähten zur verbesserten Auslesbarkeit von Stickstoff-Fehlstellen-Zentren in Diamant.
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Nanodrähte werden dazu verwendet, um Limitierungen beim epitaktischen Dünnschicht-Wachstum zu überwinden und die Kristallqualität von Halbleitern zu verbessern. In dieser Arbeit wurden Gruppe-III-Nitrid-Nanodrähte für zwei verschiedene Ziele untersucht: (i) Die Entwicklung von hochverspannten koaxialen Heterostrukturen zur Erforschung neuartiger optoelektronischer und sensorischer Anwendungen; (ii) Die Benutzung der natürlichen Wellenleitergeometrie und elektronischen Eigenschaften von Galliumn...
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Series:
Selected topics of semiconductor physics and technology