Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Holleitner, Alexander (Prof. Dr.)
Language:
en
Subject group:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik
TUM classification:
PHY 685d; ELT 300d
Abstract:
Electrical breakdown in the oxidized barrier of hydrogen-terminated and thus surface-conductive diamond devices is a limiting factor in the fabrication of nanoscale structures. Possible applications as a free electron source as well as the electron transport across the potential barrier are investigated in this work. We report on a reduced effective barrier height due to an inhomogeneous potential landscape and a new field-dependent optical absorption feature at this interface. A new defect level is proposed that is formed at the hydrogen-/oxygen-terminated interface.
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Electrical breakdown in the oxidized barrier of hydrogen-terminated and thus surface-conductive diamond devices is a limiting factor in the fabrication of nanoscale structures. Possible applications as a free electron source as well as the electron transport across the potential barrier are investigated in this work. We report on a reduced effective barrier height due to an inhomogeneous potential landscape and a new field-dependent optical absorption feature at this interface. A new defect lev...
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Translated abstract:
Elektrische Leckströme über die Potentialbarriere von Wasserstoff-terminiertem und somit oberflächen-leitfähigem Diamant limitieren derzeit die Miniaturisierung entsprechender Diamantbauteile. In dieser Arbeit wird ein Einsatz dieser Oberfläche als freie Elektronenquelle untersucht und zusätzlich der elektrische Transport über die Sauerstoff-terminierte Potentialbarriere. Eine inhomogene Potentiallandschaft ist sowohl verantwortlich für eine reduzierte Barrierenhöhe als auch für die Feldabhängigkeit einer neuen optischen Absorptionsbande. Dies wird ermöglicht durch einen neuen Defekt am Übergang von Wasserstoff- zu Sauerstoff-Terminierung.
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Elektrische Leckströme über die Potentialbarriere von Wasserstoff-terminiertem und somit oberflächen-leitfähigem Diamant limitieren derzeit die Miniaturisierung entsprechender Diamantbauteile. In dieser Arbeit wird ein Einsatz dieser Oberfläche als freie Elektronenquelle untersucht und zusätzlich der elektrische Transport über die Sauerstoff-terminierte Potentialbarriere. Eine inhomogene Potentiallandschaft ist sowohl verantwortlich für eine reduzierte Barrierenhöhe als auch für die Feldabhängig...
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Series:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie