To fully exploit the large application potential of group-III-nitrides, different substrates for GaN-based homo- and heteroepitaxy were investigated. Freestanding HVPE-GaN pseudo-substrates delaminated from sapphire by laser-induced liftoff is presented as an attractive alternative for GaN-based homoepitaxy. The technological applicability of the laser delamination method is further demonstrated in the production of freestanding blue/violet flich-chip bonded InGaN/GaN LEDs. Besides the GaN issue, diamond has been evaluated as a possible substrate material for group III-nitrides epitaxy because it represents a novel approach for the development of a new generation of devices for deep UV-light emission and high power applications.     «

To fully exploit the large application potential of group-III-nitrides, different substrates for GaN-based homo- and heteroepitaxy were investigated. Freestanding HVPE-GaN pseudo-substrates delaminated from sapphire by laser-induced liftoff is presented as an attractive alternative for GaN-based homoepitaxy. The technological applicability of the laser delamination method is further demonstrated in the production of freestanding blue/violet flich-chip bonded InGaN/GaN LEDs. Besides the GaN issue...     »

Um das große Anwendungspotential der Gruppe-III-Nitride vollständig nutzen zu können, wurden verschiedene Substrate für Homo- und Heteroepitaxie von Gruppe III-Nitriden (z.B. GaN) erforscht. Freistehende Pseudo-Substrate, hergestellt durch einen auf GaN/Saphir angewendeten Laser-Ablöseprozess, stellen eine Alternative für die GaN-basierte Homoepitaxie dar. Außerdem wurde die Flexibilität des Laser-Ablöseverfahrens in der Verarbeitung dünner InGaN/GaN-Heterostrukturen für die Produktion freistehender flip-chip kontaktierter Leuchtdioden demonstriert. Darüber hinaus wurde Diamant als Substratmaterial für die Epitaxie von Aluminium-Nitrid untersucht. Dies stellt einen vielversprechenden Ansatz für die Entwicklung einer neuen Generation von Bauelementen für Lichtemission und Hochleistungselektronik dar.     «

Um das große Anwendungspotential der Gruppe-III-Nitride vollständig nutzen zu können, wurden verschiedene Substrate für Homo- und Heteroepitaxie von Gruppe III-Nitriden (z.B. GaN) erforscht. Freistehende Pseudo-Substrate, hergestellt durch einen auf GaN/Saphir angewendeten Laser-Ablöseprozess, stellen eine Alternative für die GaN-basierte Homoepitaxie dar. Außerdem wurde die Flexibilität des Laser-Ablöseverfahrens in der Verarbeitung dünner InGaN/GaN-Heterostrukturen für die Produktion freistehe...     »