Zum näheren Verständnis der extrazellulären Neuron-Silizium-Kopplung wird ein Modellsystem benötigt, das durch intrazelluläre Techniken kontrolliert werden kann. In der vorliegenden Arbeit wurde deshalb eine Methode zum Kontaktieren von Riesenvesikeln mittels Mikroelektroden entwickelt. Das neuartige Verfahren konnte anschließend zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften der Kopplung von Vesikeln an Silizium-Chips angewendet werden. Die Etablierung der Elektrophysiologie wurde durch die Kombination von drei Techniken ermöglicht: Zum einen mussten die Riesenvesikel mittels Albumin-beschichteter Plastikkäfige in einem entspannten Zustand fixiert werden. Zum anderen wurden die Mikroelektroden zur Vermittlung eines elektrostatischen Membrankontaktes unter sehr hohem Innendruck beschichtet, um einer Verstopfung entgegenzuwirken. Schließlich wurde der Membrandurchbruch durch Fluorescein-Injektionen verifiziert. Es stellte sich heraus, dass die dichten Kontakte zwischen Vesikeln und Mikroelektroden großflächig durch rollende Membranen gebildet werden. Die Abdichtungswiderstände erreichten dabei anfänglich den Gigaohm-Bereich. Mit steigender Membrananspannung fielen sie über einen maximalen Zeitraum von einer halben Stunde ab. Die entwickelte Methode wurde im zweiten Teil der Arbeit zur Messung der Signalübertragung von einer Mikroelektrode in ein unter dem Vesikel befindliches lineares Array aus 32 Feldeffekttransistoren angewandt. Das Sinus-Signal konnte mit Hilfe der Lock-In-Technik sowohl frequenz- als auch ortsaufgelöst detektiert werden. Diesen intrazellulären Experimenten wurden zum Vergleich ähnlich ablaufende Messungen mit extrazellulärer Anregung des Elektrolyten gegenübergestellt. Das Übertragungsverhalten des Vesikel-Chip-Kontakts wird weitestgehend durch eine dünne Elektrolytschicht bestimmt, die sich zwischen den beiden Einzelsystemen befindet. Um den Kontakt zu verbessern, wurde ein extrem hochohmiger Elektrolyt verwendet. Zur Interpretation der Messungen musste deshalb die theoretische Beschreibung des als zweidimensionalen Kern-Mantel-Leiter beschreibbaren Kontakts immens erweitert werden. Als Ergebnis wurde einerseits eine erhöhte Leitfähigkeit der Kontaktmembran festgestellt, die entweder auf die Membrananspannung oder die Albumin-Beschichtung des Chips zurückzuführen ist. Andererseits war der Widerstand des Elektrolyten im Spalt niedriger als im Außenraum, was mit einer leitfähigen diffusen Doppelschicht an der oxidierten Siliziumoberfläche begründet werden kann. Das Anstechen von Riesenvesikeln brachte zwei interessante oszillierende Nebeneffekte mit sich. Riss der Kontakt an der Mikroelektrode, so zeigten sich sowohl optisch als auch elektrisch vermessbare Membranporen. War der Effekt der rollenden Membran gut ausgeprägt, so konnten abwechselnd die Ausbildung eines zweiten kleineren Vesikels um die Mikroelektrode und die erneute Fusion mit dem Muttervesikel beobachtet werden.
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Zum näheren Verständnis der extrazellulären Neuron-Silizium-Kopplung wird ein Modellsystem benötigt, das durch intrazelluläre Techniken kontrolliert werden kann. In der vorliegenden Arbeit wurde deshalb eine Methode zum Kontaktieren von Riesenvesikeln mittels Mikroelektroden entwickelt. Das neuartige Verfahren konnte anschließend zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften der Kopplung von Vesikeln an Silizium-Chips angewendet werden. Die Etablierung der Elektrophysiologie wurde durch die Komb...
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