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- Original title:
- Optoelectronic Properties of Defects in Diamond and AlGaN Alloys
- Translated title:
- Optoelektronische Eigenschaften von Defekten in Diamant und AlGaN-Legierungen
- Author:
- Zeisel, Roland
- Year:
- 2001
- Document type:
- Dissertation
- Faculty/School:
- Fakultät für Physik
- Advisor:
- Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
- Referee:
- Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Gross, Rudolf (Prof. Dr.); Koch, Frederik (Prof. Ph.D.)
- Format:
- Text
- Language:
- en
- Subject group:
- PHY Physik
- Keywords:
- diamond; AlN; GaN; defects; DLTS; photoconductivity; DX; implantation
- Translated keywords:
- Diamant; AlN; GaN; Defekte; DLTS; Photoleitung; DX; Implantation;
- Controlled terms:
- Diamant; Gitterbaufehler; Aluminiumnitrid; Galliumnitrid; Mischkristall
- TUM classification:
- PHY 693d; PHY 621d
- Translated abstract:
- Die Dotiereigenschaften von Bor und Lithium in Diamant wurden mittels Kapazitäts- Spannungsmessungen und spektral aufgelöster Photoleitung charakterisiert. Zusätzlich wurde eine Passivierung von Bor-Akzeptoren durch Wasserstoff nachgewiesen und das thermische Aufbrechen der B-H-Bindungen untersucht. Mittels transienter Kapazitätsspektroskopie wurde ein implantationsinduzierter Defekt in Diamant 1.28 eV über dem Valenzband nachgewiesen und sein Ausheilverhalten studiert. Durch spektral aufgelöste... »
- Publication :
- Universitätsbibliothek der TU München
- WWW:
- https://mediatum.ub.tum.de/?id=602910
- Date of submission:
- 04.01.2001
- Oral examination:
- 16.05.2001
- File size:
- 1244038 bytes
- Pages:
- 152
- Urn (citeable URL):
- https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss2001051613436
- Last change:
- 25.07.2007
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