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Original title:
Complementary Tunneling-FETs (CTFET) in CMOS Technology
Translated title:
Komplementäre Tunnel Feldeffekttransistoren (CTFET) in CMOS-Technologie
Year:
2003
Document type:
Dissertation
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Advisor:
Hansch, Walter (Prof. Dr.)
Referee:
Hansch, Walter (Prof. Dr.); Eisele, Ignaz (Prof. Dr.)
Format:
Text
Language:
en
Subject group:
ELT Elektrotechnik
Keywords:
Tunneling field effect transistor; Band-to-band tunneling; Short channel effects; Reactive Ion Etching; Numerical simulation
Translated keywords:
Tunnel Feldeffekttransistor; Band-Band Tunneln; Kurzkanal-Effekt; Reaktives Ionen Ätzen; Simulation
TUM classification:
ELT 321d
Abstract:
The short channel effects (SCE) are becoming serious problems as MOSFET scales down to the deep sub-micron dimension. For this reason, a silicon tunneling transistor called TFET is investigated. The device and process simulations are carried out to investigate physical principle, optimized fabrication conditions, and future structure of TFET. With the improved technologies, the complementary TFETs are realized on the single silicon wafer. The room temperature gate-controlled tunneling is realize...    »
Translated abstract:
Für zukünftige MOSFET-Generationen treten neben technologischen Problemen große Schwierigkeiten aufgrund parasitärer Leckströme auf. Als alternatives ULSI-Bauelement ist in dieser Arbeit ein MOS-gesteuerter Tunneltransistor (TFET) untersucht worden. In Simulationen sind die Herstellungssequenzen, verschiedene Bauelementgeometrien und die resultierenden elektrischen Eigenschaften optimiert worden. In CMOS-Technologie wurden auf einem Si-wafer komplementäre TFETs hergestellt und charakterisiert. D...    »
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München
Date of submission:
10.11.2003
Oral examination:
19.12.2003
File size:
6448439 bytes
Pages:
184
Last change:
20.06.2007
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