Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit einem Modell für den Integrated Gate Commutated Transistor (IGCT), das zur rechnergestützten Schaltungssimulation verwendet werden kann. Dabei steht das dynamischer Verhalten dieses Leistungsschalters im Vordergrund. Aufgrund bestimmter physikalischer Eigenschaften bipolarer Leistungshalbleiterbauelemente kann auf eine physikalisch basierte Modellbeschreibung nicht verzichtet werden. Die Simulationsergebnisse, die mit dem vorgestellten Modell durchgeführt wurden, stimmen dabei sehr gut mit entsprechenden Meßergebnissen überein. Dabei ist die Serienschaltung von IGCTs einerseits ein interessanter Anwendungsfall für das Modell und andererseits selbst das Objekt einer weitgehenden Analyse. Es kann mit Hilfe der Simulation gezeigt werden, daß selbst kleinste Unterschiede zwischen den einzelnen Serien-IGCTs bzw. der zugehörigen Ansteuerung, zu erheblichen Asymmetrien in der Spannungsaufteilung beim Abschalten führen. Schließlich wird ein neues Schaltungskonzept zur aktiven Ansteuerung vorgestellt, mit dem diese Asymmetrien vermieden werden können. Auf Entlastungsnetzwerke kann dann weitestgehend verzichtet werden.     «

Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit einem Modell für den Integrated Gate Commutated Transistor (IGCT), das zur rechnergestützten Schaltungssimulation verwendet werden kann. Dabei steht das dynamischer Verhalten dieses Leistungsschalters im Vordergrund. Aufgrund bestimmter physikalischer Eigenschaften bipolarer Leistungshalbleiterbauelemente kann auf eine physikalisch basierte Modellbeschreibung nicht verzichtet werden. Die Simulationsergebnisse, die mit dem vorgestellten Modell durchgeführt w...     »

The thesis presented here deals with a model for the Integrated Gate Commutated Transistor (IGCT), which can be used for circuit simulation. The main interest focusses on the dynamic behaviour of this power electronic device. According to the physical characteristics of bipolar power devices, it is necessary to choose a mathematical approach which is based on semiconductor physics. Calculations performed with the model presented here, show a good agreement with corresponding experimental results. An interesting application example on the one hand and an object of a detailed analysis on the other hand is the series connection of IGCTs. It can be shown that even small differences between the IGCTs in series, or their gate drives respectively, yield considerable asymmetry regarding the blocking voltages of each single IGCT during turn off. Finally, a new concept for an active drive with a corresponding circuit, that ensures symmetry without applying large scale snubber circuits, is presented.     «

The thesis presented here deals with a model for the Integrated Gate Commutated Transistor (IGCT), which can be used for circuit simulation. The main interest focusses on the dynamic behaviour of this power electronic device. According to the physical characteristics of bipolar power devices, it is necessary to choose a mathematical approach which is based on semiconductor physics. Calculations performed with the model presented here, show a good agreement with corresponding experimental results...     »