In dieser Arbeit wurde eine modifizierte einstufige RCA-Reinigung entwickelt. Die Untersuchungen mit den besonders kritischen Metallen bei der Wafer- und Halbleiterbauelementherstellung Al, Ca, Fe, Ni und Zn zeigten deutliche Vorteile bei der Reinigung gegenüber herkömmlichen Methoden. Durch die Verwendung von Komplexbildnern konnte eine Abscheidung der Metalle auf die Siliciumoberfläche verhindert bzw. stark reduziert werden. Während bei den bekannten Reinigungsverfahren mehrere Schritte für eine optimale Reinigung benötigt werden, gelingt dies mit dem vorgestellten Verfahren bereits durch einen einzelnen Reinigungsschritt. Neben dieser Einsparung konnte außerdem gezeigt werden, dass durch den Einsatz von Komplexbildner selbst bei stark verdünnten Reinigungslösungen und reduzierter Temperatur die Kontamination mit den untersuchten Metallen erfolgreich verhindert wird.     «

In dieser Arbeit wurde eine modifizierte einstufige RCA-Reinigung entwickelt. Die Untersuchungen mit den besonders kritischen Metallen bei der Wafer- und Halbleiterbauelementherstellung Al, Ca, Fe, Ni und Zn zeigten deutliche Vorteile bei der Reinigung gegenüber herkömmlichen Methoden. Durch die Verwendung von Komplexbildnern konnte eine Abscheidung der Metalle auf die Siliciumoberfläche verhindert bzw. stark reduziert werden. Während bei den bekannten Reinigungsverfahren mehrere Schritte für ei...     »

In the submitted dissertation a modified single-step RCA-cleaning-process was developed. Investigations with the most critical metals for the production of wafers and semiconductor devices - Al, Ca, Fe, Ni and Zn - showed significant advantages in contrast to standard methods. By using complexing agents a surface contamination by the metals can be strongly reduced or completely avoided. While conventional cleaning methods need more than one step to achieve appropriate cleaning results, the present surface treatment is a single-step method. More over a metal contamination of the surface can also be avoided by using diluted cleaning solutions at low temperatures.     «

In the submitted dissertation a modified single-step RCA-cleaning-process was developed. Investigations with the most critical metals for the production of wafers and semiconductor devices - Al, Ca, Fe, Ni and Zn - showed significant advantages in contrast to standard methods. By using complexing agents a surface contamination by the metals can be strongly reduced or completely avoided. While conventional cleaning methods need more than one step to achieve appropriate cleaning results, the prese...     »