The metal-silicon contact has an elementary function in modern electronic devices but degrades easily during an electrical overstress. The novel graphenic carbon contact developed in this work creates the same low Schottky barrier on silicon as the frequently employed titanium silicide but has a significantly superior reliability against short pulses with high current density. The material was produced by high temperature chemical vapor deposition and low temperature sputtering. The scalability down to 0.7 nm was demonstrated, making it suitable for a wide range of applications.     «

The metal-silicon contact has an elementary function in modern electronic devices but degrades easily during an electrical overstress. The novel graphenic carbon contact developed in this work creates the same low Schottky barrier on silicon as the frequently employed titanium silicide but has a significantly superior reliability against short pulses with high current density. The material was produced by high temperature chemical vapor deposition and low temperature sputtering. The scalability...     »

Der Metall-Silizium-Kontakt hat in modernen elektronischen Bauelementen eine elementare Funktion, degradiert jedoch leicht bei einer elektrischen Überbeanspruchung. Der in dieser Arbeit entwickelte neuartige Graphenic Carbon-Kontakt erzeugt auf Silizium dieselbe niedrige Schottky-Barriere wie das häufig verwendete Titansilizid, hat aber eine deutlich erhöhte Zuverlässigkeit gegenüber kurzen Pulsen mit hoher Stromdichte. Das Material wurde durch chemische Gasphasenabscheidung und Sputtern hergestellt und das Herunterskalieren bis zu 0,7 nm wurde demonstriert.     «

Der Metall-Silizium-Kontakt hat in modernen elektronischen Bauelementen eine elementare Funktion, degradiert jedoch leicht bei einer elektrischen Überbeanspruchung. Der in dieser Arbeit entwickelte neuartige Graphenic Carbon-Kontakt erzeugt auf Silizium dieselbe niedrige Schottky-Barriere wie das häufig verwendete Titansilizid, hat aber eine deutlich erhöhte Zuverlässigkeit gegenüber kurzen Pulsen mit hoher Stromdichte. Das Material wurde durch chemische Gasphasenabscheidung und Sputtern hergest...     »