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Titel:

A two-stage F-band cascode power amplifier with a peak PAE of 17% in SiGe BiCMOS technology

Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag
Autor(en):
Kurz, Vera; Bilato, Andrea; Biebl, Erwin; Issakov, Vadim
Kongress- / Buchtitel:
2020 IEEE 20th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF)
Verlag / Institution:
IEEE
Publikationsdatum:
01.01.2020
Jahr:
2020
Print-ISBN:
9781728121291
Volltext / DOI:
doi:10.1109/sirf46766.2020.9040172
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