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Titel:

Method for Fabricating a Nanoelement Field Effect Transistor with Surrounded Gate Structure

Dokumenttyp:
Patent
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
US 7425487 (B2)
Erfinder:
KREUPL, FRANZ [DE]; SEIDEL, ROBERT [DE]
Anmeldeland:
USA
Veröffentlichungsdatum / Patent:
12.01.2010
Jahr:
2010
Sprache:
de
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
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