We optically excite dipolar excitons in a semiconductor heterostructure with a pair of coupled GaAs quantum wells. The lateral confinement of excited excitons relies on electrostatic trap geometries defined on the sample surface. We study mixed ensembles of neutral and charged excitons and identify a collective excitation. Furthermore, we determine the underlying mechanism of trion formation and show the influence of charge imbalance on the exciton photoluminescence.
Übersetzte Kurzfassung:
Wir untersuchen optisch erzeugte indirekte Exzitonen in einem Paar gekoppelter GaAs-Quantentröge einer Halbleiterheterostruktur. Der laterale Einschluss der erzeugten Exzitonen wird durch elektrostatische Fallen auf der Probenoberfläche erreicht. Wir untersuchen Ensembles aus neutralen und geladenen Exzitonen und finden eine kollektive Anregung. Außerdem bestimmen wir den Mechanismus der Bildung von Trionen und zeigen den Einfluss des Ladungsungleichgewichts auf die Exziton-Photolumineszenz.
Serie / Reihe:
Selected topics of semiconductor physics and technology