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Originaltitel:
Raman investigation of small bandgap semiconductor nanowires
Übersetzter Titel:
Raman Untersuchung von Halbleiter-Nanodrähten mit kleiner Bandlücke
Autor:
Yazji, Sara
Jahr:
2016
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
Fakultät für Physik
Betreuer:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.)
Gutachter:
Abstreiter, Gerhard (Prof. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik; TEC Technik, Ingenieurwissenschaften (allgemein)
TU-Systematik:
TEC 030d; PHY 685d; ELT 300d
Kurzfassung:
In this Thesis, we studied on one hand the modification of the wurtzite InAs E1 gap and of the wurtzite InAs lattice dynamics response of nanowires upon compression with respect to zincblende bulk InAs. On the other hand, we established a novel method for a complete thermoelectric characterization of individual semiconductor nanowires, applying the method to Se–doped InSb nanowires.
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit untersuchten wir einerseits die Änderung der Wurtzit InAs E1 Bandlücke und der Wurtzit InAs Gitterdynamik in Nanodrähten unter Kompression im Vergleich zu Volumenhalbleiter Zinkblende InAs. Außerdem haben wir ein neues Verfahren für eine vollständige thermoelektrische Charakterisierung einzelner Halbleiter-Nanodrähte entwickelt, und dieses Verfahren auf Se-dotierte InSb Nanodrähte angewendet.
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie
Bandnummer:
199
ISBN:
978-3-941650-99-2
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1285603
Eingereicht am:
10.12.2015
Mündliche Prüfung:
28.01.2016
Letzte Änderung:
06.04.2017
 BibTeX