In this thesis it is discussed a new class of X-ray sensors based on organic semiconductors. The detectors here presented are organic photodiodes coupled with an inorganic scintillator layer. It is discussed, how photodiode characteristics such as dark current or external quantum efficiency are influenced by the semiconductor, cathode or interlayer material, the active area of the diode, the thickness of the active layer or the solvent used during the fabrication process.
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit wird eine neue Art von Detektor auf Basis organischer Halbleiter beschrieben. Diese Sensoren bestehen aus organischen Photodioden, welche mit einem anorganischen Szintillator kombiniert sind. Der wichtigste Vorteil dieser Technologie besteht darin großflächige Photodioden ohne höhere Kosten herstellen zu können, bei gleichzeitig höherer Sensitivität. Weiter können diese leicht an verschiedenste Röntgenspektren adaptiert werden.