Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Schlichtmann, Ulf (Prof. Dr.)
Gutachter:
Schlichtmann, Ulf (Prof. Dr.); Hamdioui, Said (Assoc. Prof., Ph.D.); Eder, Alfred (Prof. Dr. Dr. h.c.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik
Stichworte:
SRAM, Algorithm, Optimization
Kurzfassung:
This work concerns the analysis of tests for static semiconductor memories. Based on statistical analysis of productive test results, efficient test combinations could be determined that achieve high fault coverage and low test effort at the same time. The experimental results have been linked to theoretical functional fault models to generate an optimal test strategy for industrial purposes. Also the effects of Burn-In on the variation of fault manifestation could be analyzed.
Übersetzte Kurzfassung:
Diese Arbeit befasst sich mit der Untersuchung von Tests für statische Halbleiterspeicher. Basierend auf statistischer Analyse produktiver Testdaten wurden effiziente Testkombinationen ermittelt, die eine hohe Fehlerabdeckung bei geringem Aufwand ermöglichen. Die experimentellen Ergebnisse wurden mit theoretischen Fehlermodellen verknüpft um optimale Teststrategien für ein industrielles Umfeld zu entwickeln. Außerdem konnte der Effekt von Burn-In auf das Verhalten von Fehlern untersucht werden.
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