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Originaltitel:
Design of a 9-50 GHz CMOS Integrated Readout Circuitry for Spin Wave Characterization 
Übersetzter Titel:
Design einer 9-50 GHz CMOS Integrierten Ausleseschaltung für Spin-Wellen Charakterisierung 
Jahr:
2020 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Becherer, Markus (Prof. Dr. habil.) 
Gutachter:
Becherer, Markus (Prof. Dr. habil.); Csaba, György (Prof., Ph.D.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
SW, Spin Wave, Chracterization, RF, GHz, LNA, Low Noise Amplifier, Mixer, VCO, Voltage Controlled Oscillator, PLL, Phase Locked Loop 
TU-Systematik:
ELT 230d 
Kurzfassung:
Emerging spin wave based devices are promising candidates for beyond-CMOS technology in low power applications. However, the on-chip integration of a spin wave device with present CMOS technology is still necessary for practical applications. This work investigates the feasibility of spin wave characterization with a CMOS readout circuitry operating in a frequency range of 9 to 50 GHz. Focus is put on the design of RF circuit components such as low noise amplifier, mixer, voltage controlled osci...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Neuartige spinwellen-basierte Bauelemente sind vielversprechende Kandidaten für Post-CMOS Technologie in Low-Power-Anwendungen. Allerdings erfordern produktnahe Anwendungen die Integration von Spinwellen-Bauelementen mit heutiger CMOS-Technologie. Diese Arbeit untersucht die Machbarkeit der Spinwellen-Charakterisierung mit einer CMOS-Ausleseschaltung, die für den Frequenzbereich von 9 bis 50 GHz entworfen wurde. Schwerpunkt liegt auf der Entwicklung von HF Schaltungskomponenten wie rauscharmer V...    »
 
Mündliche Prüfung:
17.04.2020 
Dateigröße:
5445073 bytes 
Seiten:
161 
Letzte Änderung:
10.09.2020