In dieser Arbeit wird mit Hilfe von experimentellen Untersuchungen und Computersimulationen erstmals demonstriert, wie die Avalanchefestigkeit von Leistungshalbleiter-MOSFETs, die nach dem Prinzip der Ladungskompensation hergestellt sind, deutlich erhöht werden kann. Die Optimierung wird an eigens gefertigten Labormustern gezeigt und anschließend auf ein idealisiertes Bauteil übertragen. Außerdem wird in dieser Arbeit zum ersten Mal detailliert der Einfluss von Elektronen-, Protonen- und Heliumionenbestrahlung auf derartige Bauelemente zur kontrollierten Absenkung der Ladungsträgerlebensdauer verglichen und darauf basierend ein MOSFET mit optimierter interner Rückwärtsdiode realisiert, die deutlich verringerte elektrische Verluste beim Abschaltvorgang aufweist.     «

In dieser Arbeit wird mit Hilfe von experimentellen Untersuchungen und Computersimulationen erstmals demonstriert, wie die Avalanchefestigkeit von Leistungshalbleiter-MOSFETs, die nach dem Prinzip der Ladungskompensation hergestellt sind, deutlich erhöht werden kann. Die Optimierung wird an eigens gefertigten Labormustern gezeigt und anschließend auf ein idealisiertes Bauteil übertragen. Außerdem wird in dieser Arbeit zum ersten Mal detailliert der Einfluss von Elektronen-, Protonen- und Heliumi...     »

In this work it was presented for the first time by means of experimental investigations and computer simulations how the avalanche ruggedness of power semiconductor MOSFETs made according to the principle of charge compensation can be significantly improved. The optimisation is demonstrated at specially produced laboratory samples and subsequently transferred to an idealised component. Moreover, in this work the influence of electron, proton and helium ion irradiation on such devices in order to reduce the carrier lifetime in a controlled manner was compared for the first time and based on that a MOSFET was realised having an optimised internal reverse diode, which exhibits distinctly reduced electrical losses during the turn-off process.     «

In this work it was presented for the first time by means of experimental investigations and computer simulations how the avalanche ruggedness of power semiconductor MOSFETs made according to the principle of charge compensation can be significantly improved. The optimisation is demonstrated at specially produced laboratory samples and subsequently transferred to an idealised component. Moreover, in this work the influence of electron, proton and helium ion irradiation on such devices in order t...     »