Die Arbeit beschäftigt sich mit der theoretischen Beschreibung, der Dimensionierung, der technologischen Realisierung und der messtechnischen Charakterisierung von GaAs-Lawinenlaufzeitdioden im Oberwellenbetrieb für das Y-Band (170 GHz - 260 GHz). Die Struktur der GaAs-Read-Doppeldrift Diode wurde mit einem Großsignal-Modell optimiert und in einer Molekularstrahl-Epitaxie Anlage realisiert. Mit einem parasitätsarmen Einbau des aktiven Bauelementes in einen Hohlleiter-Scheiben-Resonator sind im Dauerstrichbetrieb HF-Leistungen von 40 mW bei 192 GHz und 1 mW bei 242 GHz als Bestwerte bei der ersten Oberwelle erzielt worden.     «

Die Arbeit beschäftigt sich mit der theoretischen Beschreibung, der Dimensionierung, der technologischen Realisierung und der messtechnischen Charakterisierung von GaAs-Lawinenlaufzeitdioden im Oberwellenbetrieb für das Y-Band (170 GHz - 260 GHz). Die Struktur der GaAs-Read-Doppeldrift Diode wurde mit einem Großsignal-Modell optimiert und in einer Molekularstrahl-Epitaxie Anlage realisiert. Mit einem parasitätsarmen Einbau des aktiven Bauelementes in einen Hohlleiter-Scheiben-Resonator sind im D...     »

Theoretical investigation of GaAs-transit-time diodes in harmonic mode operation as well as optimization, realization, and characterization of the measured results were carried out in the frequency range of 170 GHz – 260 GHz (Y-band). A GaAs double-drift Read type diode structure was optimized by a large signal model fabricated by a molecular beam epitaxy apparatus and encapsulated by an extremely low parasitic mounting technique in a D-band disc resonator. Experimentally, cw-output power of 40 mW at 192 GHz and 1 mW at 242 GHz were obtained as the best results in the second harmonic mode operation.     «

Theoretical investigation of GaAs-transit-time diodes in harmonic mode operation as well as optimization, realization, and characterization of the measured results were carried out in the frequency range of 170 GHz – 260 GHz (Y-band). A GaAs double-drift Read type diode structure was optimized by a large signal model fabricated by a molecular beam epitaxy apparatus and encapsulated by an extremely low parasitic mounting technique in a D-band disc resonator. Experimentally, cw-output power of 40...     »