In this thesis, a physically rigorous model for the simulation of internal laser probing techniques for semiconductor power devices is developed which is employed for a thorough analysis of the physical effects during the measurement process. The theoretical studies provide valuable information for developing and optimizing powerful probing techniques which facilitate space-resolved and time-resolved measurements of carrier concentration and temperature profiles. In the second part of this thesis, it will be demonstrated that these techniques constitute an ideal supplement to the well-established electrical characterization methods and thus enable a significantly improved validation and calibration of electrothermal simulation models.     «

In this thesis, a physically rigorous model for the simulation of internal laser probing techniques for semiconductor power devices is developed which is employed for a thorough analysis of the physical effects during the measurement process. The theoretical studies provide valuable information for developing and optimizing powerful probing techniques which facilitate space-resolved and time-resolved measurements of carrier concentration and temperature profiles. In the second part of this thesi...     »

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wird ein physikalisch rigoroses Modell zur Simulation interner Lasermessverfahren für Halbleiterleistungsbauelemente entwickelt und für eine umfassende Analyse der physikalischen Vorgänge während des Messprozesses angewandt. Aus den theoretischen Studien ergeben sich wertvolle Ansätze für die Entwicklung und Optimierung leistungsfähiger Messverfahren zur Bestimmung orts- und zeitaufgelöster Ladungsträger- und Temperaturverteilungen. Im zweiten Teil der Arbeit wird gezeigt, dass diese Verfahren eine ideale Ergänzung zu den etablierten elektrischen Charakterisierungsmethoden darstellen und damit eine erheblich verbesserte Validierung und Kalibrierung elektrothermischer Simulationsmodelle ermöglichen.     «

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wird ein physikalisch rigoroses Modell zur Simulation interner Lasermessverfahren für Halbleiterleistungsbauelemente entwickelt und für eine umfassende Analyse der physikalischen Vorgänge während des Messprozesses angewandt. Aus den theoretischen Studien ergeben sich wertvolle Ansätze für die Entwicklung und Optimierung leistungsfähiger Messverfahren zur Bestimmung orts- und zeitaufgelöster Ladungsträger- und Temperaturverteilungen. Im zweiten Teil der Arbeit wi...     »