In der vorliegenden Arbeit werden zwei Arten von nichtdestruktiven, ionenstrahlungsbedingten Ausfällen, Soft Errors und Single Event Latchup, von CMOS-Speicherzellen mit numerischen 3D-Simulationen analysiert. Für die Soft Errors werden einzelne n-Kanal-MOSFETs modelliert, aber auch benachbarte n-Kanal-Transistoren unterschiedlicher SRAM-Zellen, um parasitäre Effekte auf benachbarte Zellen zu untersuchen. Für die Betrachtung des Single Event Latchups wird der Thyristorpfad eines Inverters des SRAMs modelliert. Diese Arbeit beschreibt die transienten Strompulse, unter Variation der wichtigen Parameter, wie der Temperatur und der Versorgungsspannung, um die Sensitivität des Bauelements auf Soft Errors und Single Event Latchup zu bestimmen. Des weiteren werden Ionen mit unterschiedlichen Energieverlusten pro Wegstrecke und unterschiedlichen Eindringtiefen diskutiert. Außerdem wird die Sensitivität auf Ioneneinschläge in unterschiedliche Bereiche des SRAMs betrachtet.     «

In der vorliegenden Arbeit werden zwei Arten von nichtdestruktiven, ionenstrahlungsbedingten Ausfällen, Soft Errors und Single Event Latchup, von CMOS-Speicherzellen mit numerischen 3D-Simulationen analysiert. Für die Soft Errors werden einzelne n-Kanal-MOSFETs modelliert, aber auch benachbarte n-Kanal-Transistoren unterschiedlicher SRAM-Zellen, um parasitäre Effekte auf benachbarte Zellen zu untersuchen. Für die Betrachtung des Single Event Latchups wird der Thyristorpfad eines Inverters des S...     »

In this work two kinds of nondestructive, ion radiation induced failures, soft errors and single event latchup, of CMOS memory cells were analysed by means of numerical 3D-simulations. For the soft errors single n-channel-MOSFETS were modelled, but also adjoining n-channel transistors of different SRAMs cells in order to study parasitic effects on neighbouring cells. For the consideration of the single event latchup the thyristor path of an inverter of the SRAM was modelled. This work describes the transient current pulses under variation of the important parameters like temperature and the supply voltage, in order to determine the sensitivity of the device to soft errors and single event latchups. Furthermore ions with various energy loss per unit length and various depths of penetration were discussed. In addition the sensitivity of the ion impact in different parts of the SRAM was regarded.      «

In this work two kinds of nondestructive, ion radiation induced failures, soft errors and single event latchup, of CMOS memory cells were analysed by means of numerical 3D-simulations. For the soft errors single n-channel-MOSFETS were modelled, but also adjoining n-channel transistors of different SRAMs cells in order to study parasitic effects on neighbouring cells. For the consideration of the single event latchup the thyristor path of an inverter of the SRAM was modelled. This work describes...     »