Semiconductor nanowires have attracted significant attention in the last decade for their potential in improving existing or enabling novel devices. An important challenge in the field is to reproducibly control the electronic properties and to fabricate high purity nanowires. We investigated different semiconductor materials (GaAs, Ge and Si), designed and realized multiple geometry field-effect transistors and sensors based upon them and characterized their properties, particularly regarding possible applications in future electronic devices architectures.      «

Semiconductor nanowires have attracted significant attention in the last decade for their potential in improving existing or enabling novel devices. An important challenge in the field is to reproducibly control the electronic properties and to fabricate high purity nanowires. We investigated different semiconductor materials (GaAs, Ge and Si), designed and realized multiple geometry field-effect transistors and sensors based upon them and characterized their properties, particularly regarding...     »

Halbleiter-Nanodrähten wurde in den vergangenen zehn Jahren aufgrund ihres Potenzials, bestehende Bauelemente zu verbessern oder die Entwicklung neuartiger Bauelemente zu ermöglichen, erhebliche Aufmerksamkeit zuteil. In diesem Bereich stellt die Reproduzierbarkeit der elektronischen Eigenschaften sowie die Herstellung hoch-reiner Nanodrähte eine bedeutende Herausforderung dar. Verschiedene Halbleitermaterialien (GaAs, Ge und Si) wurden untersucht und Feldeffekttransistoren mit unterschiedlichen Geometrien und darauf aufbauende Sensoren wurden entworfen, realisiert und hinsichtlich ihrer Eigenschaften untersucht, besonders im Hinblick auf Anwendungsmöglichkeiten in zukünftigen Geräte-Architekturen.      «

Halbleiter-Nanodrähten wurde in den vergangenen zehn Jahren aufgrund ihres Potenzials, bestehende Bauelemente zu verbessern oder die Entwicklung neuartiger Bauelemente zu ermöglichen, erhebliche Aufmerksamkeit zuteil. In diesem Bereich stellt die Reproduzierbarkeit der elektronischen Eigenschaften sowie die Herstellung hoch-reiner Nanodrähte eine bedeutende Herausforderung dar. Verschiedene Halbleitermaterialien (GaAs, Ge und Si) wurden untersucht und Feldeffekttransistoren mit unterschiedlic...     »