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Schaltungsentwurf (Prof. Brederlow)
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Autor(en):
Riente, F.; Ziemys, G.; Turvani, G.; Schmitt-Landsiedel, D.; Gamm, S. B. v.; Graziano, M.
Titel:
{T}owards {L}ogic-{I}n-{M}emory circuits using 3{D}-integrated {N}anomagnetic logic
Stichworte:
CMOS logic circuits; CMOS memory circuits; flip-flops; magnetic anisotropy; nanomagnetics; power consumption; three-dimensional integrated circuits; vias; 3D pNML circuit; 3D-integrated nanomagnetic logic; CMOS technology; ITRS roadmap; LIM circuit; N-bit parallel-in parallel-out register; accumulator; logic plane; logic-in-memory circuit; magnetic D flip-flop; magnetic memory element; memory element; memory-intensive computing task; monolithic 3D-integration; next-generation computing; nonvolatile magnetization state; perpendicular magnetic anisotropy; perpendicular nanomagnetic logic; power consumption; pure-magnetic vias; size 28 nm; size 32 nm; size 45 nm; Computer architecture; Magnetic domain walls; Magnetic domains; Magnetization; Perpendicular magnetic anisotropy; Wires
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CMOS logic circuits; CMOS memory circuits; flip-flops; magnetic anisotropy; nanomagnetics; power consumption; three-dimensional integrated circuits; vias; 3D pNML circuit; 3D-integrated nanomagnetic logic; CMOS technology; ITRS roadmap; LIM circuit; N-bit parallel-in parallel-out register; accumulator; logic plane; logic-in-memory circuit; magnetic D flip-flop; magnetic memory element; memory element; memory-intensive computing task; monolithic 3D-integration; next-generation computing; nonvolat...
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Kongress- / Buchtitel:
2016 IEEE International Conference on Rebooting Computing (ICRC)
Jahr:
2016
Monat:
Oct
Seiten:
1-8
Volltext / DOI:
doi:10.1109/ICRC.2016.7738700
BibTeX
Vorkommen:
mediaTUM Gesamtbestand
Hochschulbibliographie
2016
Fakultäten
Elektrotechnik und Informationstechnik
Technische Elektronik (Prof. Schmitt-Landsiedel)
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Einrichtungen
Schools
TUM School of Computation, Information and Technology
ehemalige Lehrstühle und Fachgebiete
Schaltungsentwurf (Prof. Brederlow)
2016