In this work nanotransfer printing (nTP) was combined with plasma oxidation of Ti to an efficient fabrication process for ordered nano- and microscale metal- and metal-oxide-structures on doped silicon. Furthermore, kinetic Monte Carlo (kMC) simulations of ultrathin metal-oxide-layers were performed to analyse the electronic properties of TiO2 and AlOx for applications in MOS and MOM nanodevices. Finally, dominant charge transport processes and defect energies in dependence of the fabrication of the nm-thin oxide films were found and implications for their use memory and photocatalytic materials were derived.     «

In this work nanotransfer printing (nTP) was combined with plasma oxidation of Ti to an efficient fabrication process for ordered nano- and microscale metal- and metal-oxide-structures on doped silicon. Furthermore, kinetic Monte Carlo (kMC) simulations of ultrathin metal-oxide-layers were performed to analyse the electronic properties of TiO2 and AlOx for applications in MOS and MOM nanodevices. Finally, dominant charge transport processes and defect energies in dependence of the fabrication of...     »

Nanotransfer Printing (nTP) wurde mit einem zusätzlichen Plasmaoxidationsprozess auf Titan zu einem effizienten Herstellungsverfahren für hochgeordnete nano- and microscale Metall- und Metall-Oxid-Strukturen auf dotiertem Silizium weiterentwickelt. Ferner wurden mittels kinetischer Monte Carlo (kMC) Simulationen die elektronischen Eigenschaften von Titandioxid und Aluminiumoxid hinsichtlich ihrer Anwendung in nanoskaligen MOS und MOM Bauelementen untersucht. Dominante Ladungstransportprozesse und transportbestimmende Defektenergien wurden in Abhängigkeit der Herstellung der nur wenige nm-dünnen Oxidfilme bestimmt und Implikationen für ihre Nutzung für Speicher oder in der Photokatalyse abgeleitet.      «

Nanotransfer Printing (nTP) wurde mit einem zusätzlichen Plasmaoxidationsprozess auf Titan zu einem effizienten Herstellungsverfahren für hochgeordnete nano- and microscale Metall- und Metall-Oxid-Strukturen auf dotiertem Silizium weiterentwickelt. Ferner wurden mittels kinetischer Monte Carlo (kMC) Simulationen die elektronischen Eigenschaften von Titandioxid und Aluminiumoxid hinsichtlich ihrer Anwendung in nanoskaligen MOS und MOM Bauelementen untersucht. Dominante Ladungstransportprozesse un...     »