Mit der Möglichkeit aktuelle Grenzen der Si-Halbleitertechnologien zu überwinden, entwickelt sich in den nanobasierten angewandten Wissenschaften die Forschung der zweidimensionalen (2D) Materialien. Diese Dissertation bietet eine Orientierungshilfe für Herstellung und Anwendung von funktionalisierten 2D-Silziumnanoschichten, die bemerkenswerte (opto)elektronische Eigenschaften aufweisen. Ihr Einbau in konventionelle Technologien führt zur Herstellung von hochsensitiven Feldeffekt-Transistoren, Photodetektoren und Feuchtigkeitssensoren.     «

Mit der Möglichkeit aktuelle Grenzen der Si-Halbleitertechnologien zu überwinden, entwickelt sich in den nanobasierten angewandten Wissenschaften die Forschung der zweidimensionalen (2D) Materialien. Diese Dissertation bietet eine Orientierungshilfe für Herstellung und Anwendung von funktionalisierten 2D-Silziumnanoschichten, die bemerkenswerte (opto)elektronische Eigenschaften aufweisen. Ihr Einbau in konventionelle Technologien führt zur Herstellung von hochsensitiven Feldeffekt-Transistoren,...     »