sgTLP, TLP, large-signal behavior, power semiconductor devices, time-domain analysis
TU-Systematik:
ELT 200
Kurzfassung:
In dieser Arbeit wurden Transmission Line Pulsing (TLP) Verfahren – etablierte Werkzeuge zur transienten Charakterisierung von Halbleiterelementen im Zeitbereich – mit dem Ziel untersucht, schnellschaltende Bauelemente insbesondere im Gebiet der Leistungselektronik zu charakterisieren. Hierbei wurde das neuartige „sensor gap TLP“ Verfahren entwickelt, das in der Lage ist, dynamische Schaltvorgänge moderner Leistungshalbleiter zu analysieren und dabei sowohl die nötigen lange Pulsdauern ermöglicht, als auch eine Systembandbreite von 10 GHz für die Spannungs- und die Strommessung erreicht.
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In dieser Arbeit wurden Transmission Line Pulsing (TLP) Verfahren – etablierte Werkzeuge zur transienten Charakterisierung von Halbleiterelementen im Zeitbereich – mit dem Ziel untersucht, schnellschaltende Bauelemente insbesondere im Gebiet der Leistungselektronik zu charakterisieren. Hierbei wurde das neuartige „sensor gap TLP“ Verfahren entwickelt, das in der Lage ist, dynamische Schaltvorgänge moderner Leistungshalbleiter zu analysieren und dabei sowohl die nötigen lange Pulsdauern ermöglich...
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Übersetzte Kurzfassung:
This work examined transmission line pulsing (TLP) methods – established tools for characterizing fast semiconductor devices in the time domain – to analyze the properties of fast-switching devices, especially in the field of power electronics. In this context, the novel “sensor gap TLP” method was developed, which can analyze dynamic switching processes of modern power semiconductor devices with sufficiently long pulses, reaching a system bandwidth of 10 GHz for both voltage and current measurements at the same time.
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This work examined transmission line pulsing (TLP) methods – established tools for characterizing fast semiconductor devices in the time domain – to analyze the properties of fast-switching devices, especially in the field of power electronics. In this context, the novel “sensor gap TLP” method was developed, which can analyze dynamic switching processes of modern power semiconductor devices with sufficiently long pulses, reaching a system bandwidth of 10 GHz for both voltage and current measure...
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