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Originaltitel:
Modellierung und Simulation orientierungsabhängiger Ätzprozesse in Silizium
Übersetzter Titel:
Modeling and Simulation of Orientation-Dependent Wet-Chemical Etching Processes in Silicon
Autor:
Horn, Anton
Jahr:
2005
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.)
Gutachter:
Seidl, Helmut (Prof. Dr.)
Format:
Text
Sprache:
de
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik
Stichworte:
Simulation; Ätze; n naßchemisch; KOH
Übersetzte Stichworte:
Simulation; wet-chemical; etching; KOH
Schlagworte (SWD):
Silicium; Nassätzen; Mikrostruktur; Dimension; Numerisches Modell; CAD
TU-Systematik:
ELT 285d; ELT 035d
Kurzfassung:
Mit fortschreitender Entwicklung in der Mikrosystemtechnik gewinnt die physikalisch basierte Modellierung und prädiktive Simulation eine strategische Bedeutung, denn der Einsatz leistungsfähiger CAD-Werkzeuge reduziert die Zahl und verkürzt die Dauer der Entwicklungszyklen, die neue Mikrosystemtechnik-Komponenten von der ersten Idee bis zum funktionierenden Prototyp durchlaufen. Die besondere Bedeutung der Modellierung und Simulation von Herstellungsprozessen für mikrostrukturierte Bauelemente b...     »
Übersetzte Kurzfassung:
Physically based modeling and predictive simulation is getting more and more important for the design of modern MEMS-devices, since the application of CAD-tools reduces the design and fabrication cycles during the design and development process of new microstructures and systems. Modeling and simulation of the fabrication process provides the geometrical and physical description of a complete device. Therefore, an accurate simulation on the process level is the basis and prerequisite for a relia...     »
Veröffentlichung:
Universitätsbibliothek der Technischen Universität München
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=601618
Eingereicht am:
31.03.2004
Mündliche Prüfung:
15.04.2005
Dateigröße:
5273430 bytes
Seiten:
191
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss20050707-2154450098
Letzte Änderung:
23.07.2010
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