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Originaltitel:
Design of a 9-50 GHz CMOS Integrated Readout Circuitry for Spin Wave Characterization
Übersetzter Titel:
Design einer 9-50 GHz CMOS Integrierten Ausleseschaltung für Spin-Wellen Charakterisierung
Autor:
Egel, Eugen
Jahr:
2020
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Becherer, Markus (Prof. Dr. habil.)
Gutachter:
Becherer, Markus (Prof. Dr. habil.); Csaba, György (Prof., Ph.D.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik
Stichworte:
SW, Spin Wave, Chracterization, RF, GHz, LNA, Low Noise Amplifier, Mixer, VCO, Voltage Controlled Oscillator, PLL, Phase Locked Loop
TU-Systematik:
ELT 230d
Kurzfassung:
Emerging spin wave based devices are promising candidates for beyond-CMOS technology in low power applications. However, the on-chip integration of a spin wave device with present CMOS technology is still necessary for practical applications. This work investigates the feasibility of spin wave characterization with a CMOS readout circuitry operating in a frequency range of 9 to 50 GHz. Focus is put on the design of RF circuit components such as low noise amplifier, mixer, voltage controlled osci...     »
Übersetzte Kurzfassung:
Neuartige spinwellen-basierte Bauelemente sind vielversprechende Kandidaten für Post-CMOS Technologie in Low-Power-Anwendungen. Allerdings erfordern produktnahe Anwendungen die Integration von Spinwellen-Bauelementen mit heutiger CMOS-Technologie. Diese Arbeit untersucht die Machbarkeit der Spinwellen-Charakterisierung mit einer CMOS-Ausleseschaltung, die für den Frequenzbereich von 9 bis 50 GHz entworfen wurde. Schwerpunkt liegt auf der Entwicklung von HF Schaltungskomponenten wie rauscharmer V...     »
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1516910
Eingereicht am:
12.09.2019
Mündliche Prüfung:
17.04.2020
Dateigröße:
5445073 bytes
Seiten:
161
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20200417-1516910-1-3
Letzte Änderung:
10.09.2020
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