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Titel:
TW 201212317 A Memory cell with resistance-switching layers
Dokumenttyp:
Patentanmeldung
Patentanmeldung Nr.:
TW 201212317 A
Erfinder:
COSTA XIYING, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN
Patentanmelder:
COSTA XIYING, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN
Anmeldeland:
TW
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
16.03.2012
Jahr:
2012
Sprache:
Sonstige
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
BibTeX
Vorkommen:
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