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- Titel:
TW 201212318 A Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement
- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- TW 201212318 A
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US
- Anmeldeland:
- TW
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 16.03.2012
- Jahr:
- 2012
- Sprache:
- Sonstige
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX